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起止时间:2020-02-20到2020-07-12
更新状态:已完结
第1周:知识单元一 – PN结与半导体二极管(4学时) PN结与半导体二极管单元测试
1、 P型半导体中,少数载流子是:
A:自由电子
B:空穴
C:带负电的杂质离子
D:带正电的杂质离子
答案: 自由电子
2、 在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为:
A:本征半导体
B:五价半导体
C:P型半导体
D:N型半导体
答案: N型半导体
3、 稳压管是利用PN结的( )特性制作而成的。
A:单向导电性
B:反向击穿性
C:正向特性
D:稳压特性
答案: 反向击穿性
4、 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于_,而少数载流子的浓度与_关系十分密切。(A、温度, B、掺杂工艺, C、杂质浓度)
A:AB
B:BC
C:CA
D:CB
答案: CA
5、 如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素,可将其改型为P型半导体。
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析:“足够多”的三价元素,可以提供“足够多”的空穴。
6、 由于N型半导体中存在大量自由电子,故N型半导体会带负电。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析:N型半导体整体呈电中性:大量自由电子存在的同时,还有大量正离子(五价元素提供一个自由电子,成为离子)。
7、 PN结正偏时,势垒电容是主要的。
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析:PN结正偏时,势垒区较窄,扩散电容是主要的。
8、 当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变窄;当PN结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。
A:正确
B:错误
答案: 正确
第2周:知识单元二 – 场效应管及其放大电路(1)(4学时) 场效应管及其放大电路(1)单元测试
1、 某场效应管的IDSS为6mA,而ID从漏极流出,大小为8mA,则该管为:
A:N沟道结型管
B:P沟道结型管
C:耗尽型PMOS管
D:耗尽型NMOS管
E:增强型PMOS管
F:增强型NMOS管
答案: 耗尽型PMOS管
2、 下图中的四个偏置电路中,能正常工作的是:
A:(b)
B:(a)
C:(c)
D:(d)
答案: (c)
3、 图示电路中,若源极电阻RS增大,则该电路的漏电流ID会:
A:减小
B:增大
C:不变
D:不定
答案: 减小
4、 某场效应管的转移特性曲线如图所示,试问该管子是什么类型?
A:N沟道JFET
B:P沟道JFET
C:N沟道增强型MOS管
D:N沟道增强型MOS管
答案: N沟道JFET
5、 由耗尽型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图(a)所示,若用示波器观察电路的输入、输出波形出现图(b)所示的波形,则可判断该电路:
A:静态工作点过于靠近截止区
B:静态工作点过于靠近饱和区
C:静态工作点过于靠近恒流区
D:静态工作点过于靠近击穿区
答案: 静态工作点过于靠近截止区
6、 如图两个电路能否放大输入信号?
A:(a)不可以 (b)不可以
B:(a)可以 (b)可以
C:(a)可以 (b)不可以
D:(a)不可以 (b)可以
答案: (a)不可以 (b)不可以
7、 共源放大电路的输入电阻通常_(A、大于, B、小于, C、等于)共射放大电路的输入电阻,因此共源放大电路从信号源索取的电流比较_(A、大, B、小,C、适中)。
A:AA
B:AB
C:AC
D:BA
E:BB
F:BC
G:CA
H:CB
I:CC
J:均不正确
答案: AB
第3周:知识单元二 – 场效应管及其放大电路(2)(4学时) 场效应管及其放大电路(2)单元测试
1、 已知场效应管的输出特性或转移如题图所示,试判别其类型。 (a) (b)
A:a图为N沟结型FET,b图为N沟增强型MOSFET
B:a图为P沟结型FET,b图为N沟增强型MOSFET
C:a图为N沟结型FET,b图为P沟增强型MOSFET
D:a图为P沟结型FET,b图为P沟增强型MOSFET
答案: a图为P沟结型FET,b图为N沟增强型MOSFET
2、 2
A:可变电阻区
B:恒流区
C:截止区
D:不能正常工作
答案: 截止区
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