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起止时间:2020-02-26到2020-07-31
更新状态:已完结
第二周 第二章 电力电子器件单元测试
1、 晶闸管型号为KP30－12中，数字12表示（ ）。
A:额定电压12V
B:额定电流12A
C:额定电压1200V
D:额定电流1200A
答案: 额定电压1200V
2、 使晶闸管维持导通所必须的最小电流称为（ ）。
A:维持电流
B:擎住电流
C: 通态平均电流
D:浪涌电流
答案: 维持电流
3、 以下元件属于非自关断电力电子元件有（ ）。
A:MOSFET
B:双向晶闸管
C:电力晶体管
D:IGBT
答案: 双向晶闸管
4、 功率晶体管GTR会发生( )现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大。
A:一次击穿
B:二次击穿
C:临界饱和
D:反向截止
答案: 二次击穿
5、 晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最需的最小电流称为（ ）。
A:维持电流
B:通态平均电流
C:擎住电流
D:浪涌电流
答案: 擎住电流
6、 IGBT管是由哪两种器件复合而成的（ ）。
A:MOSFET和GTR
B:GTR和GTO
C:GTO和MOSFET
D:MCT和MOSFET
答案: MOSFET和GTR
7、 以下对晶闸管的描述正确的有（ ）。
A:当晶闸管承受正向电压且门极有触发电流时晶闸管导通
B:当流过阳极电流小于维持电流时晶闸管关断
C:晶闸管是全控型电力电子器件
D:导通后，门极失去控制作用
答案: 当晶闸管承受正向电压且门极有触发电流时晶闸管导通;
当流过阳极电流小于维持电流时晶闸管关断;
导通后，门极失去控制作用
8、 IGBT管是由（ ）器件和（ ）器件复合而成。
A:MOSFET
B:GTO
C:GTR
D:MCT
答案: MOSFET ;
GTR
9、 以下电力电子器件中，属于电压驱动型器件的有( )。
A:MOSFET
B:GTR
C:GTO
D:IGBT
答案: MOSFET ;
IGBT
10、 以下电力电子器件中，属于电流驱动型器件的有( )。
A:MOSFET
B:GTR
C:GTO
D:IGBT
答案: GTR;
GTO
11、 把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为 。
答案: (以下答案任选其一都对)控制角;
移相角
12、 型号为KP10-7的晶闸管，额定电压为 V。
答案: 700
13、 型号为KP10-7的晶闸管，额定电流为 A。
答案: 10
第三周 第三章 整流电路单元测试1
1、 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的峰值电压为（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
2、 在单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的电流有效值
为（ ）。
A:
B:
C:
D:
答案:
3、 单相半控桥整流电路，大电感负载，控制角α的移相范围为（ ）。
A:0°≤α≤90°
B:0°≤α≤120°
C:0°≤α≤150°
D:0°≤α≤180°
答案: 0°≤α≤180°
4、 单相桥式可控整流电路,感性负载且不接续流管，控制角α的最大移相角为（ ）。
A:180°
B:150°
C:120°
D:90°
答案: 90°
5、 三相全控桥电路接在同一相的两个晶闸管触发脉冲的相位差为（ ）。
A:30°
B:60°
C:90°
D:180°
答案: 180°
6、 三相全控桥电路由（ ）只晶闸管组成，每间隔（ ）度有一管换流。选（ ）
A:6，120
B:6，60
C:3，120
D:3，60
答案: 6，60
7、 三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角α为（ ）时，整流输出电压与电流波形断续。
A:A．0°＜α≤30°
B:30°＜α≤150°
C:60°＜α≤180°
D:90°＜α≤180°
答案: 30°＜α≤150°
8、 三相半波（零式）整流电路负载为阻性时，电流连续，则晶闸管导通角θ＝（ ）度。
A:150
B:120
C:90
D:180
答案: 120
9、 三相半波（零式）整流电路负载为带大电感负载时，晶闸管导通角θ＝（ ）度。
A:90
B:120
C:150
D:180
答案: 120
10、 在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角α（ ）时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二级管。
A:＞30°
B:＞60°
C:＞90°
D:＞120°
答案: ＞30°
11、 三相半波可控整流电路，带电阻性负载时，α为（ ）度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。
A:0
B:30
C:60
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