作业第1周 导论及晶体二极管入门 第1周课前作业
1、 如图所示，求所标明的电压V和电流值I，其中二极管要求用恒压降模型替代，即VD=0.7V。
评分规则: 
2、 试判断如图所示电路中各二极管是否导通，并求Vo的值。
评分规则: 
3、 一个二极管应用在一个由恒流源I供电的电路中，如果在二极管边上再并联一个相同的二极管，那么对该二极管的正向电压有什么影响？假设n=1。
评分规则: 
4、 如图所示电路，该电路功能是什么？设输入正弦波的有效值为120V，并假设二极管理想。为电阻R选择合适的数值，使得二极管的峰值电流不超过50mA，并求二极管两端最大的反向电压PIV。
评分规则: 
5、 本周知识图谱：呈现方式：大纲形式、思维导图形式、组织结构图形式和其他形式，可借助各类制图软件，也可以手写。
评分规则: 看总结的完整性和逻辑性评分
第1周 导论及晶体二极管入门 半导体物理基础及PN结测验
1、 纯净、无杂质且无晶格缺陷的半导体材料称为（ ）
答案: 本征半导体
2、 PN结的形成过程可以简述如下（ ）
答案: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡
3、 室温下无外力作用时，本征半导体中的载流子主要由（ ）产生。
答案: 本征激发
4、 常用于电子器件制作的元素半导体材料一般是（ ）元素
答案: +4价
5、 杂质半导体中空穴和自由电子（）
答案: 浓度不再相等
6、 当PN结加正向电压时，空间电荷区的宽度将____
答案: 变窄
7、 下面对PN结单向导电性描述正确的是（ ）
答案: 反偏时PN结等效为一个大电阻;
正向导通，反向截止;
反偏时PN结有非常小的电流通过，PN结内电流方向是由N区流向P区
8、 本征半导体中自由电子和空穴（）
答案: 由本征激发产生;
因本征复合而消失;
成对产生或成对消失;
浓度始终相等
9、 由外电场作用引起半导体内载流子运动，则（ ）
答案: 运动方式为漂移运动;
形成的电流为漂移电流;
电场强度越大，引起的电流越大
10、 N型半导体（ ）
答案: 掺入+5价杂质元素;
多数载流子为自由电子;
少数载流子为空穴;
杂质被称为施主杂质;
杂质离子带正电荷
11、 P型半导体（ ）
答案: 掺入+3价杂质元素;
多数载流子为空穴;
少数载流子为自由电子;
杂质被称为受主杂质;
杂质离子带负电荷
12、 杂质半导体中（ ）
答案: 多子浓度主要依赖于杂质元素的掺杂浓度;
少子浓度主要依赖于温度;
少子由本征激发产生;
多子和少子的带电极性总是相反的
13、 PN结形成后（ ）
答案: 接触面两边形成空间电荷区;
势垒区内的离子固定不动;
接触面两侧空间电荷区的宽度与两侧掺杂浓度成反比
14、 PN结的击穿现象（ ）
答案: 是在加足够大的反偏电压时出现的;
根据击穿机理的不同，分为雪崩击穿和齐纳击穿;
电击穿在有保护的条件下是可逆的
15、 雪崩击穿（ ）
答案: 出现在掺杂浓度相对较低的PN结中;
表现出的现象为碰撞电离;
在有安全措施前提下是可逆的
16、 PN结电容效应（ ）
答案: 只在通过PN结的信号频率较高时才体现出来;
在PN结被正偏或反偏均会出现;
等效出的结电容与PN结体电阻是并联关系
17、 温度升高时（ ）
答案: 本征激发增强;
在同样的正向电流下，VD(on)减小;
反向饱和电流增大
18、 本征半导体的导电能力只比杂质半导体差一点点
答案: 错误
19、 杂质半导体是在本征半导体内随机加入特定杂质的过程，且掺入杂质越多越好
答案: 错误
20、 PN结可由一块P型半导体和一块N型半导体粘合而成
答案: 错误
21、 N型半导体的多数载流子为自由电子，由+5价元素作为受主杂质掺杂而成，杂质离子带一个单位正电荷
答案: 错误
22、 P型半导体的多数载流子为空穴，由+3价元素作为受主杂质掺杂而成，杂质离子带一个单位负电荷
答案: 正确
23、 PN结的工作状态包括导通、截止和击穿
答案: 正确
24、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大
答案: 正确
25、 P型半导体带正电，N型半导体带负电
答案: 错误
作业第2周 放大器入门及MOS器件基础 第2周课前作业
1、 某电压放大器的输入电阻为10kΩ，输出电阻为200Ω，增益为1000V/V。它被连接在内阻为100kΩ、开路电压为10mV的信号源和100Ω负载之间，则（1）输出电压为多少？（2）从源到负载的电压增益为多少？（3）从放大器输入端到负载的电压增益为多少？
评分规则: 
2、 某电流放大器有
它被连接在电阻为100kΩ的100mV信号源和1kΩ负载之间。整个放大电路的电流增益、电压增益和功率增益分别为多少？
评分规则: 
3、 
评分规则: 
4、 一个NMOS晶体管有Vt=1V。当工作在变阻区时，VGS=2V，求得电阻rDS为1kW。①为了使rDS=500W，则VGS为多少？②当晶体管的W为原W的二分之一时，在前面两种vGS供电的情况下，分别求其相应的电阻值。
评分规则: 
5、 在本周学习过程中遇到了哪些问题？是否有已经解决的？
评分规则: 无标准答案，请自行作答
第2周 放大器入门及MOS器件基础 MOS工作原理及其他类型场效应管测验
1、 为保证场效应管工作时两个PN结均反偏，则（ ）。
答案: N沟道器件的衬底极接在整个电路的最低电位，P沟道器件的接在整个电路的最高电位
2、 场效应管中的“预夹断”现象是指（ ）。
答案: 由外电压控制，使得靠近漏端的反型层消失的情况
3、 MOS导电时沟道中的电流主要由（ ）构成。
答案: 多子
4、 
的作用是（ ）。
答案: 在导电沟道已形成的基础上产生漏极电流;
引导沟道中的多子由源区移动向漏区
5、 FET器件的主要工作状态有（ ）
答案: 截止、变阻、饱和
6、 N沟道器件变阻区工作条件为（ ）。
答案: 
,
7、 P沟道器件饱和区工作条件为（ ）。
答案: 
,
8、 
单独作用时，（ ）。
答案: 在绝缘层中产生垂直衬底表面的电场;
引起的电场排斥衬底中的多子，吸附少子到衬底表面;
该电压数值越大，对沟道深度的控制能力越强;
沟道中无法产生电流
9、 
增大引起的沟道长度调制效应（ ）。
答案: 必出现在饱和区;
表现为源极与夹断点之间的长度变短;
对沟道内电流
有控制作用，使得其略有增大
10、 在
的条件下，依然有导电可能的器件为（ ）。
答案: NDMOSFET;
PDMOSFET;
耗尽型MOS
11、 与N沟道器件相比，P沟道器件（ ）。
答案: 
、
极性要求与之相反;
极间电流流向与之相反;
工作原理与之相同;
器件可能存在的工作状态与之相同
12、 衬底效应（ ）。
答案: 在器件的源极与衬底极不相连工作时出现;
对漏极电流
有控制作用;
它会影响
对的控制作用;
在集成电路中不可忽略
13、 N沟道器件饱和区的工作条件是（ ）
答案: ，
;
，
14、 P沟道器件变阻区工作条件为（ ）。
答案: ,;
，
15、 衬底效应又称为背栅效应，它对器件电流有影响。
答案: 正确
16、 过驱动电压
表征的是栅源电压中对电流大小的实际控制部分。
答案: 正确
17、 无论是PMOS还是NMOS，对外加电压的要求都是一样的。
答案: 错误
18、 
主要控制是否有电流产生，
主要控制沟道深度和电流大小。
答案: 错误
作业第3周 CS传输特性及放大器分析与设计 第3周课前作业
1、 
评分规则: 
2、 
评分规则: 
3、 
评分规则: 
4、 本周学习过程中你还遇到了什么问题？是否已解决？
评分规则: 无标准答案，请自行作答
作业第4周 CD-CG放大器及BJT伏安特性 第4周课前作业
1、 
评分规则: 
2、 
评分规则: 
3、 
评分规则: 
4、 对于本次学习的内容，你有什么疑问？
评分规则: 无标准答案，请自行作答
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