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半导体技术导论 2024智慧树满分答案
本门课程章节测试答案详情如下:
第一章 单元测试
1、判断题:
现代电子器件大多是基于半导体材料制备的?
A:对
B:错
答案: 对
第二章 单元测试
1、判断题:
p型硅掺杂IV族元素,n型硅掺杂III族元素。
A:对
B:错
答案: 错
2、判断题:
半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
A:对
B:错
答案: 对
3、判断题:
以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。
A:对
B:错
答案: 对
4、单选题:
以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?
A:单晶体
B:多晶体
C:非晶体
D:结晶体
答案: 结晶体
5、判断题:
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。
A:对
B:错
答案: 错
6、判断题:
半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
A:对
B:错
答案: 对
7、判断题:
在半导体中的空穴流动就是电子流动。
A:对
B:错
答案: 错
8、判断题:
通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
A:对
B:错
答案: 错
9、单选题:
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?
A:0
B:1/4
C:1/2
D:1
答案: 1/2
10、判断题:
通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。
A:对
B:错
答案: 对
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