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起止时间:2020-09-28到2021-01-22
更新状态:已完结
第二章 常用半导体器件原理 常用半导体器件原理
1、 N型半导体是在纯净半导体中掺入____；
A:带正电的离子
B:三价元素，如硼等
C:五价元素，如磷等
D:带负电的电子
答案: 五价元素，如磷等
2、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A:放大
B:饱和
C:截止
D:损坏
答案: 截止
3、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A:放大
B:截止
C:饱和
D:损坏
答案: 截止
4、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A:N沟道结型
B:N沟增强型MOS
C:N沟耗尽型MOS
D:P沟耗尽型MOS
答案: N沟增强型MOS
5、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A:N沟道结型
B:P沟道结型
C:N沟道绝缘栅型增强型MOS
D:P沟道绝缘栅型耗尽型MOS
答案: N沟道结型
6、 图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管
A:P沟道结型
B:N沟道结型
C:P沟道耗尽型MOS
D:P沟道增强型MOS
答案: P沟道耗尽型MOS
7、 晶体管工作在放大区时，发射结为____
A:正向偏置
B:反向偏置
C:零偏置
D:无
答案: 正向偏置
8、 晶体管工作在饱和区时，集电结为____
A:零偏置
B:正向偏置
C:反向偏置
D:无
答案: 正向偏置
9、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A:放大
B:截止
C:饱和
D:损坏
答案: 放大
10、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A:饱和
B:放大
C:截止
D:损坏
答案: 放大
11、 用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。
A:饱和
B:截止
C:损坏）
D:放大
答案: 放大
12、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____
A:温度
B:杂质浓度
C:掺杂工艺
D:无
答案: 杂质浓度
13、 电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。
A:保持不变
B:增大
C:减小
D:无
答案: 减小
14、 随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___
A:上移
B:下移
C:左移
D:右移
答案: 上移
15、 在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:无
答案: 发射极
16、 设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A:饱和
B:截止
C:放大
D:倒置
答案: 截止
17、 在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:无
答案: 温度
18、 电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V， 波形如图____所示。
A:
B:
C:
D:
答案:
19、 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____
A:大
B:小
C:相等
D:无
答案: 小
20、 在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____
A:发射极
B:基极
C:集电极
D:漏极
答案: 集电极
21、 设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态
A:截止
B:饱和
C:放大
D:倒置
答案: 放大
22、 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____；
A:不变
B:减小
C:增大
D:无
答案: 增大
23、 在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。
A:减小
B:增大
C:不变）
D:无
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