中国大学mooc慕课模拟电子技术基础(华中科技大学) 答案

第1章 绪 论 绪论测验题

1、 当输入信号频率为fL或fH时，放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的        。

答案: 0.7倍

2、 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为        。

答案: 1kW

3、 已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为        。

答案: 4 kW

4、 已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是        。

答案: －0.1V～＋0.1V

5、 信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。

答案: 正确

6、 只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。

答案: 错误

7、 用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。

答案: 正确

8、 放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。

答案: 正确

9、 放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。

答案: 错误

10、 放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。

答案: 正确

11、 同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。

答案: 正确

12、 放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。

答案: 错误

13、 当输入信号频率为fL或fH时，放大电路增益的幅值约下降为通带内水平增益的        。

答案: 0.7倍

第2章 运算放大器 运算放大器测验题

1、 理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo =      ，输入电阻ri =      ，输出电阻ro =      。

答案: ∞，∞，0

2、         放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而        放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。

答案: 反相，同相

3、 欲将方波电压转换为三角波电压，应选用        。

答案: 积分运算电路

4、 欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用        。

答案: 微分运算电路

5、 欲将输入电压信号放大-100倍，应选用        。

答案: 反相输入式放大电路

6、 电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI =     ，Ri =      ；图（b）Av = vO/vI =     ，Ri =      。

答案: 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞

7、 电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) =      。

答案:

8、 理想运算放大器构成的电路如图10所示， =       。

答案:

9、 加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为      。

答案:

10、 电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则=      。

答案:

11、 电路如图13所示，开关S闭合时电路增益 ＝      ；开关S断开时电路增益 ＝      。

答案:

12、 在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。

答案: 正确

13、 在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

答案: 错误

14、 集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。

答案: 正确

15、 放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。

答案: 错误

16、 电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。

答案: 错误

17、 欲将一正弦波电压叠加在一个直流电压上，应选用        。

答案: 加法运算电路

18、 欲将输入电压信号放大-100倍，应选用        。

答案: 反相输入式放大电路

19、 电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI =     ，Ri =      ；图（b）Av = vO/vI =     ，Ri =      。

答案: 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞

20、 电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) =      。

答案:

21、 理想运算放大器构成的电路如图10所示， =       。

答案:

22、 加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为      。

答案:

23、 电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则=      。

答案:

24、 电路如图13所示，开关S闭合时电路增益 ＝      ；开关S断开时电路增益 ＝      。

答案:

第3章 二极管及其基本电路 二极管及其基本电路测验题

1、 半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中        的移动。

答案: 共价键中价电子

2、 N型半导体中的多数载流子是       ，而P型半导体中的多数载流子是       。

答案: 自由电子，空穴

3、 PN结内电场方向是由          。

答案: N区指向P区

4、 PN结正偏是指         。

答案: P区电位高于N区

5、 二极管正偏时应重点关注         ，反偏时应重点关注          。

答案: 导通电流和耗散功率，最大反向电压

6、 齐纳二极管正常稳压时，工作在          状态。

答案: 反向击穿

7、 点亮发光二极管应加         ，光电二极管正常工作时应加          ，变容二极管正常工作时应加          。

答案: 正偏电压，反偏电压，反偏电压

8、 已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd =           。

答案: 52 Ω

9、 设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        。

答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA

10、 12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为        ，二极管两端的最大反向电压为         。

答案: 120mA，36V

11、 电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为         ，整流电流应为         。

答案:

12、 电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是         。

答案:

13、 二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是            。   

答案: vO的b列

14、 电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为      ，vO的静态电压      ；动态时，vO的交流电压振幅为      。

答案: 1.3mA，1.3V；0.049V

15、 稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是         。

答案: 大于111W

16、 半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。

答案: 正确

17、 对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。

答案: 错误

18、 二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。

答案: 正确

19、 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。

答案: 错误

20、 在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。

答案: 正确

21、 齐纳二极管正常工作时，工作在          状态。

答案: 反向击穿

22、 设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为        和        。

答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA

23、 12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为        ，二极管两端的最大反向电压为         。

答案: 120mA，36V

24、 电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为         ，最大整流电流应为         。

答案:

25、 电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是         。

答案:

26、 二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是            。   

答案: vO的b列

27、 电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为      ，vO的静态电压      ；动态时，vO的交流电压振幅为      。

答案: 1.3mA，1.3V；0.049V

28、 稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，稳压管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是         。

答案: 大于111W

第4章 场效应管及其放大电路 场效应管及其放大电路测验题

1、 场效应管利用外加电压产生的_来控制漏极电流的大小，因此它是_控制器件。

答案: 电场，电压

2、 N沟道场效应管的漏极电流由_的漂移运动形成。

答案: 电子

3、 P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是__。

答案: 负值

4、 一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_场效应管。

答案: P沟道增强型

5、 在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，_放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；_放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；__放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；__放大电路输出电阻小；_放大电路输入电阻小。

答案: 共漏，共源，共栅，共漏，共栅

6、 用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻__。

答案: 大

7、 在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_。

答案: 图（b）

8、 当栅源电压为0V时，_MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。

答案: N沟道耗尽型

9、 试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是__（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。

答案: 图（b）

10、  设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_。

答案: 图（d）

11、 已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_，电压增益为_，输入电阻为_。

答案: 图(b)，-3.3，2075 kW

12、 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1，l = 0。则场效应管的gm » _，电路的小信号电压增益约为 _ 。

答案: 1.42 mA/V，-12.78

13、 源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为_，输出电阻约为_。

答案: 0.89，0.5kW

14、 图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为_，源电压增益Aυs＝υo/υs =___，输出电阻约为_。

答案: 1 kW，5，10kW

15、 放大电路的静态是指输入端短路时的状态。

答案: 错误

16、 小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。

答案: 错误

17、 在组合放大电路中，它的输入电阻就是第一级放大电路的输入电阻，而放大电路的输出电阻等于最后一级（输出级）的输出电阻。

答案: 正确

18、 MOSFET放大电路的三种组态中只有共源电路有功率放大作用。

答案: 错误

19、 作为放大器件工作时，耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。

答案: 正确

20、 MOSFET的低频跨导gm是一个常数。

答案: 错误

21、 增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

答案: 错误
分析：N沟道增强型MOS管工作于饱和区时，其栅源电压必须为正值，而P沟道增强型MOS管工作于饱和区时，其栅源电压必须为负值。

22、 场效应管仅靠一种载流子导电。

答案: 正确

23、 设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

答案: 正确
分析：MOSFET的VTN=1V，且漏源电压为正值，所以管子为N沟道增强型，VGS=2V>VTN=1V，因此管子已经开启，VGS-VTN=2V-1V=1V，而VDS>VGS-VTN，因此管子工作于饱和区。

24、 设MOS管的VPN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。

答案: 正确
分析：由给定参数VPN=-2V和漏源电压为正值，可知管子为N沟道耗尽型管子，VGS=-1V>VPN=-2V，管子已开启，而漏源电压VDS＝3V>VGS-VPN＝-1+2=1V，因此管子工作于饱和区。

25、 设MOS管的VTP＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。

答案: 错误

26、 一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是_场效应管。

答案: P沟道增强型

27、 在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_。

答案: 图（b）

28、 试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是__（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。

答案: 图（b）

29、  设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为_。

答案: 图（d）

30、 已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是_，电压增益为_，输入电阻为_。

答案: 图(b)，-3.3，2075 kW

31、 电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1，l = 0。则场效应管的gm » _，电路的小信号电压增益约为 _ 。

答案: 1.42 mA/V，-12.78

32、 源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为_，输出电阻约为_。

答案: 0.89，0.5kW

33、 图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5，λ＝0。那么电路的输入电阻约为_，源电压增益Aυs＝υo/υs =___，输出电阻约为_。

答案: 1 kW，5，10kW

34、 放大电路的静态是指输入信号为零时的状态。

答案: 正确

35、 放大电路的静态是指输入端开路时的状态。

答案: 错误

36、 设MOS管的VTN＝1.5V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝1V时，可以断定该MOS管工作在可变电阻区。

答案: 错误

37、 设MOS管的VTP＝-1.5V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝-3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在可变电阻区。

答案: 错误

38、 P沟道增强型MOS管的阈值电压是__。

答案: 负值

39、 在图示电路中，已知各MOS管的阈值电压çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是_。

答案: 图（b）

40、 增强型MOS管工作在恒流区（放大区）时，其栅源电压必须大于零。

答案: 错误

41、 设MOS管的VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。

答案: 正确

42、 设MOS管的VTN＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在恒流区。

答案: 正确

第5章 双极结型三极管及其放大电路 双极结型三极管及其放大电路测验题

1、 BJT具有放大作用的外部电压条件是发射结_，集电结_。

答案: 正偏，反偏

2、 当温度升高时，BJT集电极电流______。

答案: 增大

3、 BJT放大电路共有三种组态的放大电路，它们分别是共射极、_和_放大电路。

答案: 共集电极，共基极

4、 NPN型BJT共射极放大电路的交流电压输出波形上半周失真时为_，此时应该_基极电流。

答案: 截止失真，增大

5、 用直流电压表测得放大电路中某BJT各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是_，该管是__型。

答案: e、c、b；NPN

6、 复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是            ，3端是             。

答案: 发射极，集电极

7、 图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_ （设各电容的容抗可忽略）。

答案: 图(b)

8、 测量若干硅NPN型BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是__。

答案: VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V

9、 设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为__。

答案: 图(b)

10、 电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的_元件，将其_。

答案: Rb，调小

11、 射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为__。

答案: -103

12、 在图示电路中，已知Rb＝260kW，Re＝RL＝5.1kW，Rsi＝500W，VEE＝12V，b＝50，|VBE|＝0.2V，则电路的输入电阻约为_，输出电阻约为_。

答案: 87.3 kW，36W

13、 共基极电路如图所示。设b＝100，Rs＝0，RL＝¥，则电路的电压增益约为_，输入电阻约为_，输出电阻约为_。

答案: 268，28W，7.5kW

14、 NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。

答案: 错误

15、 同一只BJT，无论在什么情况下，它的b 值始终不变。

答案: 错误

16、 BJT放大电路在不失真地放大动态信号时，其三个电极的实际电流方向始终不变。

答案: 正确

17、 在阻容耦合放大电路中，信号源和负载电阻会影响电路的Q点。

答案: 错误

18、 直接耦合放大电路可以放大频率很低的信号甚至直流信号。

答案: 正确

19、 BJT的小信号模型只能用于分析放大电路的动态情况，不能用来分析静态工作点。

答案: 正确

20、 可以用万用表的“W”挡测量出BJT的H参数rbe电阻。

答案: 错误

21、 BJT组成复合管时最重要的特性是极大地提高了电流放大倍数。

答案: 正确

22、 BJT具有放大作用外部电压条件是发射结_，集电结_。

答案: 正偏，反偏

23、 复合管如图所示，等效为一个BJT时，2端是            ，3端是             。

答案: 发射极，集电极

24、 图示各电路中，能正常放大正弦交流信号的电路是_ （设各电容的容抗可忽略）。

答案: 图(b)

25、 测量若干硅BJT各电极对地的电压值如下，工作在放大区的BJT是__。

答案: VC＝6V，VB＝2V，VE＝1.3V

26、 设原理图中各电容容抗均可忽略，其小信号等效电路为__。

答案: 图(b)

27、 电路如图(a)所示，若vo中的交流成分出现图(b)所示的失真现象，为消除此失真，又基本不改变输出电阻，应调整电路中的_元件，将其_。

答案: Rb，调小

28、 射极偏置电路如图所示，已知b = 60。该电路的电压增益约为__。

答案: -100

29、 在图示电路中，已知Rb＝260kW，Re＝RL＝5.1kW，Rsi＝500W，VEE＝12V，b＝50，|VBE|＝0.2V，则电路的输入电阻约为_，输出电阻约为_。

答案: 87.3 kW，36W

30、 共基极电路如图所示。设b＝100，Rs＝0，RL＝¥，则电路的电压增益约为_，输入电阻约为_，输出电阻约为_。

答案: 268，28W，7.5kW